綠色制造與循環(huán)經(jīng)濟(jì)
公司采用水性光刻膠技術(shù)，溶劑揮發(fā)量較傳統(tǒng)產(chǎn)品降低60%，符合歐盟REACH法規(guī)和國內(nèi)環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。同時(shí)，其光刻膠廢液回收項(xiàng)目已投產(chǎn)，通過膜分離+精餾技術(shù)實(shí)現(xiàn)90%溶劑循環(huán)利用，年減排VOCs（揮發(fā)性有機(jī)物）超100噸。
低碳供應(yīng)鏈管理
吉田半導(dǎo)體與上游供應(yīng)商合作開發(fā)生物基樹脂，部分產(chǎn)品采用可再生原料（如植物基丙烯酸酯），碳排放強(qiáng)度較傳統(tǒng)工藝降低30%。這一舉措使其在光伏電池和新能源汽車領(lǐng)域獲得客戶青睞，相關(guān)訂單占比從2022年的15%提升至2023年的25%。
多層光刻膠技術(shù)通過堆疊不同性質(zhì)的膠層，可提升圖形結(jié)構(gòu)的深寬比。上海激光光刻膠感光膠
先進(jìn)制程瓶頸突破
KrF/ArF光刻膠的量產(chǎn)能力提升直接推動(dòng)7nm及以下制程的國產(chǎn)化進(jìn)程。例如，恒坤新材的KrF光刻膠已批量供應(yīng)12英寸產(chǎn)線，覆蓋7nm工藝，其工藝寬容度較日本同類型產(chǎn)品提升30%。這使得國內(nèi)晶圓廠（如中芯國際）在DUV多重曝光技術(shù)下，能夠以更低成本實(shí)現(xiàn)接近EUV的制程效果，緩解了EUV光刻機(jī)禁運(yùn)的壓力。此外，武漢太紫微的T150A光刻膠通過120nm分辨率驗(yàn)證，為28nm成熟制程的成本優(yōu)化提供了新方案。
EUV光刻膠研發(fā)加速
盡管EUV光刻膠目前完全依賴進(jìn)口，但國內(nèi)企業(yè)已啟動(dòng)關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)。久日新材的光致產(chǎn)酸劑實(shí)現(xiàn)噸級訂單，科技部“十四五”專項(xiàng)計(jì)劃投入20億元支持EUV光刻膠研發(fā)。華中科技大學(xué)團(tuán)隊(duì)開發(fā)的“雙非離子型光酸協(xié)同增強(qiáng)響應(yīng)”技術(shù)，將EUV光刻膠的靈敏度提升至0.5mJ/cm，較傳統(tǒng)材料降低20倍曝光劑量。這些突破為未來3nm以下制程的技術(shù)儲(chǔ)備奠定基礎(chǔ)。
新型光刻技術(shù)融合
復(fù)旦大學(xué)團(tuán)隊(duì)開發(fā)的功能型光刻膠，在全畫幅尺寸芯片上集成2700萬個(gè)有機(jī)晶體管，實(shí)現(xiàn)特大規(guī)模集成（ULSI）水平。這種技術(shù)突破不僅拓展了光刻膠在柔性電子、可穿戴設(shè)備等新興領(lǐng)域的應(yīng)用，還為碳基芯片、量子計(jì)算等顛覆性技術(shù)提供了材料支撐。
上海激光光刻膠感光膠封裝工藝中的光刻膠（如干膜光刻膠）用于凸塊（Bump）和再布線層（RDL）制作。
在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司憑借 23 年技術(shù)沉淀，已成為國內(nèi)光刻膠行業(yè)的企業(yè)。公司產(chǎn)品線覆蓋正性、負(fù)性、厚膜、納米壓印等多類型光刻膠，廣泛應(yīng)用于芯片制造、LCD 顯示、PCB 電路板等領(lǐng)域。
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技術(shù)：自主研發(fā)的光刻膠產(chǎn)品具備高分辨率（如 JT-3001 厚板光刻膠）、高感光度（如 JT-1000 負(fù)性光刻膠）及抗深蝕刻性能，部分指標(biāo)達(dá)到水平。
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嚴(yán)苛品控：生產(chǎn)過程嚴(yán)格遵循 ISO9001 體系，材料進(jìn)口率 100%，并通過 8S 現(xiàn)場管理確保制程穩(wěn)定性。
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定制化服務(wù)：支持客戶需求定制，例如為特殊工藝開發(fā)光刻膠，滿足多樣化場景需求。
公司位于松山湖開發(fā)區(qū)，依托產(chǎn)業(yè)園區(qū)資源，持續(xù)加大研發(fā)，與科研機(jī)構(gòu)合作推動(dòng)技術(shù)升級。目前，吉田半導(dǎo)體已服務(wù)全球數(shù)千家客戶，以 “匠心品質(zhì)、售后無憂” 的理念贏得市場口碑。
技術(shù)挑戰(zhàn)與發(fā)展趨勢
更高分辨率需求：
EUV光刻膠需解決“線邊緣粗糙度（LER）”問題（目標(biāo)＜5nm），通過納米顆粒分散技術(shù)或新型聚合物設(shè)計(jì)改善。
缺陷控制：
半導(dǎo)體級正性膠要求金屬離子含量＜1ppb，顆粒（＞50nm）＜1個(gè)/mL，需優(yōu)化提純工藝（如多級過濾+真空蒸餾）。
國產(chǎn)化突破：
國內(nèi)企業(yè)（如上海新陽、南大光電、容大感光）已在KrF/ArF膠實(shí)現(xiàn)批量供貨，但EUV膠仍被日本JSR、美國陶氏、德國默克壟斷，需突破樹脂合成、PAG純度等瓶頸。
環(huán)保與節(jié)能：
開發(fā)水基顯影正性膠（減少有機(jī)溶劑使用），或低烘烤溫度膠（降低半導(dǎo)體制造能耗）。
典型產(chǎn)品示例
傳統(tǒng)正性膠：Shipley S1813（G/I線，用于PCB）、Tokyo Ohka TSM-305（LCD黑矩陣）。
DUV正性膠：信越化學(xué)的ArF膠（用于14nm FinFET制程）、中芯國際認(rèn)證的國產(chǎn)KrF膠（28nm節(jié)點(diǎn)）。
EUV正性膠：JSR的NeXAR系列（7nm以下，全球市占率超70%）。
正性光刻膠是推動(dòng)半導(dǎo)體微縮的主要材料，其技術(shù)進(jìn)步直接關(guān)聯(lián)芯片制程的突破，未來將持續(xù)向更高精度、更低缺陷、更綠色工藝演進(jìn)。
半導(dǎo)體先進(jìn)制程（如7nm以下）依賴EUV光刻膠實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的圖案化。
化學(xué)反應(yīng)：
正性膠：曝光后光敏劑（如重氮醌DQN）分解，生成羧酸，在堿性顯影液中溶解；
負(fù)性膠：曝光后光敏劑引發(fā)交聯(lián)劑與樹脂形成不溶性網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
5. 顯影（Development）
顯影液：
正性膠：堿性水溶液（如0.26N四甲基氫氧化銨TMAH），溶解曝光區(qū)域；
負(fù)性膠：有機(jī)溶劑（如二甲苯、醋酸丁酯），溶解未曝光區(qū)域。
方法：噴淋顯影（PCB）或沉浸式顯影（半導(dǎo)體），時(shí)間30秒-2分鐘，需控制顯影液濃度和溫度。
6. 后烘（Post-Bake）
目的：固化膠膜，提升耐蝕刻性和熱穩(wěn)定性。
條件：
溫度：100-150℃（半導(dǎo)體用正性膠可能更高，如180℃）；
時(shí)間：15-60分鐘（厚膠或高耐蝕需求時(shí)延長）。
7. 蝕刻/離子注入（后續(xù)工藝）
蝕刻：以膠膜為掩膜，通過濕法（酸堿溶液）或干法（等離子體）刻蝕基板材料（如硅、金屬、玻璃）；
離子注入：膠膜保護(hù)未曝光區(qū)域，使雜質(zhì)離子只能注入曝光區(qū)域（半導(dǎo)體摻雜工藝）。
8. 去膠（Strip）
方法：
濕法去膠：強(qiáng)氧化劑（如硫酸+雙氧水）或有機(jī)溶劑（如N-甲基吡咯烷酮NMP）；
干法去膠：氧等離子體灰化（半導(dǎo)體領(lǐng)域，無殘留）。
光刻膠在半導(dǎo)體制造中扮演著關(guān)鍵角色，是圖形轉(zhuǎn)移的主要材料。成都激光光刻膠供應(yīng)商
去除殘留光刻膠（去膠）常采用氧等離子體灰化或濕法化學(xué)清洗。上海激光光刻膠感光膠
光伏電池（半導(dǎo)體級延伸）
HJT/TOPCon電池：在硅片表面圖形化金屬電極，使用高靈敏度光刻膠（曝光能量≤50mJ/cm），線寬≤20μm，降低遮光損失。
鈣鈦礦電池：用于電極圖案化和層間隔離，需耐有機(jī)溶劑（適應(yīng)溶液涂布工藝）。
納米壓印技術(shù)（下一代光刻）
納米壓印光刻膠：通過模具壓印實(shí)現(xiàn)10nm級分辨率，用于3D NAND存儲(chǔ)孔陣列（直徑≤20nm）、量子點(diǎn)顯示陣列等。
微流控與生物醫(yī)療
微流控芯片：制造微米級流道（寬度10-100μm），材料需生物相容性（如PDMS基材適配）。
生物檢測芯片：通過光刻膠圖案化抗體/抗原固定位點(diǎn)，精度≤5μm。
上海激光光刻膠感光膠
