石墨烯、二硫化鉬等二維材料的器件制備依賴高精度圖案轉(zhuǎn)移，Polos 光刻機(jī)的激光直寫技術(shù)避免了傳統(tǒng)濕法轉(zhuǎn)移的污染問題。某納米電子實(shí)驗(yàn)室在 SiO基底上直接曝光出 10nm 間隔的電極陣列，成功制備出石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其電子遷移率達(dá) 2×10 cm/(Vs)，接近理論極限。該技術(shù)支持快速構(gòu)建多種二維材料異質(zhì)結(jié)，使器件研發(fā)效率提升 5 倍，相關(guān)成果推動(dòng)二維材料在柔性電子、量子計(jì)算領(lǐng)域的應(yīng)用研究進(jìn)入快車道。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。無掩模激光直寫技術(shù)：無需物理掩膜，軟件直接輸入任意圖案，降低成本與時(shí)間。遼寧桌面無掩模光刻機(jī)不需要緩慢且昂貴的光掩模

針對(duì)碳化硅（SiC）功率模塊的柵極刻蝕難題，Polos 光刻機(jī)的激光直寫技術(shù)實(shí)現(xiàn)了 20nm 的邊緣粗糙度控制，較傳統(tǒng)光刻膠工藝提升 5 倍。某新能源汽車芯片廠商利用該設(shè)備，將 SiC MOSFET 的導(dǎo)通電阻降低 15%，開關(guān)損耗減少 20%，推動(dòng)車載逆變器效率突破 99%。其靈活的圖案編輯功能支持快速驗(yàn)證新型柵極結(jié)構(gòu)，使器件研發(fā)周期從 12 周壓縮至 4 周，助力我國(guó)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)彎道超車。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。北京德國(guó)PSP-POLOS光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米無掩模技術(shù)優(yōu)勢(shì)：摒棄傳統(tǒng)掩模，圖案實(shí)時(shí)調(diào)整，研發(fā)成本降低 70%，小批量生產(chǎn)經(jīng)濟(jì)性突出。

德國(guó) Polos 光刻機(jī)系列是電子學(xué)領(lǐng)域不可或缺的精密設(shè)備。其無掩模激光光刻技術(shù)，讓電路圖案曝光不再受限于掩模，能夠?qū)崿F(xiàn)超高精度的圖案繪制。在芯片研發(fā)過程中，Polos 光刻機(jī)可precise刻畫出納米級(jí)別的電路結(jié)構(gòu)，為芯片性能提升奠定基礎(chǔ)。 科研團(tuán)隊(duì)使用 Polos 光刻機(jī)，成功開發(fā)出更高效的集成電路，降低芯片能耗，提高運(yùn)算速度。而且，該光刻機(jī)可輕松輸入任意圖案，滿足不同電子元件的多樣化設(shè)計(jì)需求。無論是新型傳感器的電路制作，還是微型處理器的研發(fā)，Polos 光刻機(jī)都能以高精度、低成本的優(yōu)勢(shì)，為電子學(xué)領(lǐng)域的科研成果產(chǎn)出提供有力保障，推動(dòng)電子技術(shù)不斷創(chuàng)新。

無掩模激光光刻：科研效率的revolution性提升！Polos-BESM系列采用無掩模激光直寫技術(shù)，用戶可通過軟件直接輸入任意圖案，省去傳統(tǒng)光刻中掩膜制備的高昂成本與時(shí)間。其405 nm紫外光源和亞微米分辨率（most小線寬0.8 m）支持5英寸晶圓的高精度加工，特別適合實(shí)驗(yàn)室快速原型開發(fā)。閉環(huán)自動(dòng)對(duì)焦系統(tǒng)（1秒完成）和半自動(dòng)多層對(duì)準(zhǔn)功能，remarkable提升微流體芯片和MEMS器件的研發(fā)效率62。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。用戶案例broad：全球超500家科研機(jī)構(gòu)采用，覆蓋高校、研究所與企業(yè)實(shí)驗(yàn)室。

植入式神經(jīng)電極需要兼具生物相容性與導(dǎo)電性能，表面微圖案可remarkable影響細(xì)胞 - 電極界面。Polos 光刻機(jī)在鉑銥合金電極表面刻制出 10μm 間距的蜂窩狀微孔，某神經(jīng)工程團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)該結(jié)構(gòu)使神經(jīng)元突觸密度提升 20%，信號(hào)采集噪聲降低 35%。其無掩模特性支持根據(jù)不同腦區(qū)結(jié)構(gòu)定制電極陣列，在大鼠海馬區(qū)電生理實(shí)驗(yàn)中，單神經(jīng)元信號(hào)識(shí)別率從 60% 提升至 85%，為腦機(jī)接口技術(shù)的臨床轉(zhuǎn)化奠定了硬件基礎(chǔ)。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)�？鐚W(xué)科應(yīng)用：覆蓋微機(jī)械、光子晶體、仿生傳感器與納米材料合成領(lǐng)域。北京德國(guó)PSP-POLOS光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

Polos-BESM XL：加大加工幅面，滿足中尺寸器件一次性成型需求。遼寧桌面無掩模光刻機(jī)不需要緩慢且昂貴的光掩模

大尺寸晶圓的高效處理：Polos-BESM XL的優(yōu)勢(shì)！Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設(shè)計(jì)，寫入?yún)^(qū)域達(dá)155×155 mm，平臺(tái)重復(fù)性精度0.1 m，滿足工業(yè)級(jí)需求。搭配20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭，實(shí)時(shí)觀測(cè)與多層對(duì)準(zhǔn)功能使其成為光子晶體和柔性電子器件研究的理想工具。其BEAM Xplorer軟件簡(jiǎn)化復(fù)雜圖案設(shè)計(jì)，內(nèi)置高性能筆記本實(shí)現(xiàn)快速數(shù)據(jù)處理62。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。遼寧桌面無掩模光刻機(jī)不需要緩慢且昂貴的光掩模