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正性光刻膠（如 YK-300）
應(yīng)用場(chǎng)景：用于芯片的精細(xì)圖案化，如集成電路（IC）、分立器件（二極管、三極管）的制造。
特點(diǎn)：高分辨率（可達(dá)亞微米級(jí)），適用于多層光刻工藝，確保芯片電路的高精度與可靠性。
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負(fù)性光刻膠（如 JT-1000）
應(yīng)用場(chǎng)景：用于功率半導(dǎo)體（如 MOSFET、IGBT）的制造，以及傳感器（如 MEMS）的微結(jié)構(gòu)成型。
特點(diǎn)：抗蝕刻能力強(qiáng)，適合復(fù)雜圖形的轉(zhuǎn)移，尤其在深寬比要求較高的工藝中表現(xiàn)優(yōu)異。
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納米壓印光刻膠（JT-2000）
應(yīng)用場(chǎng)景：第三代半導(dǎo)體（GaN、SiC）芯片、量子點(diǎn)器件及微流控芯片的制造。特點(diǎn)：耐高溫（250℃）、耐酸堿，支持納米級(jí)精度圖案復(fù)制，降低芯片的制造成本。
吉田質(zhì)量管控與認(rèn)證壁壘。韶關(guān)負(fù)性光刻膠耗材
廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品，各有特性與優(yōu)勢(shì)，適用于不同領(lǐng)域。
厚板光刻膠 JT - 3006：具有優(yōu)異的分辨率和感光度，抗深蝕刻性能良好，符合歐盟 ROHS 標(biāo)準(zhǔn)，保質(zhì)期 1 年。需保存在干燥區(qū)域并密封，使用前要閱讀參考技術(shù)資料。適用于厚板的光刻加工，在對(duì)精度、感光度和抗蝕刻要求高的生產(chǎn)場(chǎng)景中發(fā)揮作用，如特定的電路板制造領(lǐng)域。
水油光刻膠 SR - 3303：適用于光學(xué)儀器、太陽能電池等領(lǐng)域的光刻工藝。品質(zhì)保障、性能穩(wěn)定的特點(diǎn)，由工廠研發(fā)且支持定制，工廠直銷。
珠海厚膜光刻膠品牌吉田半導(dǎo)體強(qiáng)化研發(fā)，布局下一代光刻技術(shù)。
廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品，主要涵蓋厚板、負(fù)性、正性、納米壓印及光刻膠等類別，以滿足不同領(lǐng)域的需求。
UV 納米壓印光刻膠：JT-2000 型號(hào)，耐強(qiáng)酸強(qiáng)堿，耐高溫達(dá) 250°C，長期可靠性高，粘接強(qiáng)度高，重量 100g。適用于需要在特殊化學(xué)和高溫環(huán)境下進(jìn)行納米壓印光刻的工藝，如半導(dǎo)體器件制造。
其他光刻膠
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水油光刻膠 JT-2001：屬于水油兩用光刻膠，具有工廠研發(fā)、可定制、使用、品質(zhì)保障、性能穩(wěn)定的特點(diǎn)，重量 1L。
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水油光刻膠 SR-3308：同樣為水油兩用光刻膠，重量 5L，具備上述通用優(yōu)勢(shì)，應(yīng)用場(chǎng)景。
吉田半導(dǎo)體獲評(píng) "專精特新" 企業(yè)，行業(yè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，以技術(shù)創(chuàng)新與標(biāo)準(zhǔn)化生產(chǎn)為，吉田半導(dǎo)體榮獲 "廣東省專精特新企業(yè)" 稱號(hào)，樹立行業(yè)。
憑借在光刻膠領(lǐng)域的表現(xiàn)，吉田半導(dǎo)體獲評(píng) "廣東省專精特新企業(yè)"" "，承擔(dān)多項(xiàng)國家 02 專項(xiàng)課題。公司主導(dǎo)制定《半導(dǎo)體光刻膠用樹脂技術(shù)規(guī)范》等行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，推動(dòng)國產(chǎn)材料標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程。未來，吉田半導(dǎo)體將繼續(xù)以" 中國半導(dǎo)體材料方案提供商 "為愿景，深化技術(shù)研發(fā)與市場(chǎng)拓展，為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)" 中國力量 "。告別顯影殘留！化學(xué)增幅型光刻膠助力封裝。
主要原材料“卡脖子”：從樹脂到光酸的依賴
樹脂與光酸的技術(shù)斷層
光刻膠成本中50%-60%來自樹脂，而國內(nèi)KrF/ArF光刻膠樹脂的單體國產(chǎn)化率不足10%。例如，日本信越化學(xué)的KrF樹脂純度達(dá)99.999%，金屬雜質(zhì)含量低于1ppb，而國內(nèi)企業(yè)的同類產(chǎn)品仍存在批次穩(wěn)定性問題。光酸作為光刻膠的“心臟”，其合成需要超純?cè)噭┖蛷?fù)雜純化工藝，國內(nèi)企業(yè)在純度控制（如金屬離子含量）上與日本關(guān)東化學(xué)等國際巨頭存在代差。
原材料供應(yīng)鏈的脆弱性
光刻膠所需的酚醛樹脂、環(huán)烯烴共聚物（COC）等關(guān)鍵原料幾乎全部依賴進(jìn)口。日本信越化學(xué)因地震導(dǎo)致KrF光刻膠產(chǎn)能受限后，國內(nèi)部分晶圓廠采購量從100kg/期驟降至10-20kg/期。更嚴(yán)峻的是，光敏劑原料焦性沒食子酸雖由中國提取，但需出口至日本加工成光刻膠光敏劑后再高價(jià)返銷，形成“原料出口-技術(shù)溢價(jià)-高價(jià)進(jìn)口”的惡性循環(huán)。
廣東光刻膠廠家哪家好？黑龍江油墨光刻膠廠家
吉田半導(dǎo)體光刻膠，45nm 制程驗(yàn)證，國產(chǎn)替代方案！韶關(guān)負(fù)性光刻膠耗材
晶圓制造（前道工藝）
功能：在硅片表面形成高精度電路圖形，是光刻工藝的主要材料。
細(xì)分場(chǎng)景：
邏輯/存儲(chǔ)芯片：用于28nm及以上成熟制程的KrF光刻膠（分辨率0.25-1μm）、14nm以下先進(jìn)制程的ArF浸沒式光刻膠（分辨率≤45nm），以及極紫外（EUV）光刻膠（目標(biāo)7nm以下，研發(fā)中）。
功率半導(dǎo)體（如IGBT）：使用厚膜光刻膠（膜厚5-50μm），滿足深溝槽刻蝕需求。
MEMS傳感器：通過高深寬比光刻膠（如SU-8）實(shí)現(xiàn)微米級(jí)結(jié)構(gòu)（如加速度計(jì)、陀螺儀的懸臂梁）。
芯片封裝（后道工藝）
先進(jìn)封裝技術(shù)：
Flip Chip（倒裝芯片）：用光刻膠形成凸點(diǎn)（Bump）下的 Redistribution Layer（RDL），線寬精度要求≤10μm。
2.5D/3D封裝：在硅通孔（TSV）工藝中，光刻膠用于定義通孔開口（直徑5-50μm）。
韶關(guān)負(fù)性光刻膠耗材
