光刻膠系列：
厚板光刻膠 JT - 3001，具備優(yōu)異分辨率、感光度和抗深蝕刻性能，符合歐盟 ROHS 標準，保質(zhì)期 1 年；
水油光刻膠 SR - 3308，容量 5L；SU - 3 負性光刻膠，分辨率優(yōu)異，對比度良好，曝光靈敏度高，光源適應，重量 100g；
液晶平板顯示器負性光刻膠 JT - 1000，有 1L 裝和 100g 裝兩種規(guī)格，分辨率高，準確性和穩(wěn)定性好；
JT - 2000 UV 納米壓印光刻膠，耐強酸強堿，耐高溫達 250°C，長期可靠性高，粘接強度高，重量 100g；
LCD 正性光刻膠 YK - 200，具有較大曝光、高分辨率、良好涂布和附著力，重量 100g；
半導體正性光刻膠 YK - 300，具備耐熱耐酸、耐溶劑性、絕緣阻抗和緊密性，重量 100g；
耐腐蝕負性光刻膠 JT - NF100，重量 1L。
產(chǎn)業(yè)鏈配套：原材料與設備協(xié)同發(fā)展�；葜葸M口光刻膠工廠
客戶認證：從實驗室到產(chǎn)線的漫長“闖關”
驗證周期與試錯成本
半導體光刻膠需經(jīng)歷PRS（性能測試）、STR（小試）、MSTR（中批量驗證）等階段，周期長達2-3年。南大光電的ArF光刻膠自2021年啟動驗證，直至2025年才通過客戶50nm閃存平臺認證。試錯成本極高，單次晶圓測試費用超百萬元，且客戶為維持產(chǎn)線穩(wěn)定，通常不愿更換供應商。
設備與工藝的協(xié)同難題
光刻膠需與光刻機、涂膠顯影機等設備高度匹配。國內(nèi)企業(yè)因缺乏ASML EUV光刻機測試資源，只能依賴二手設備或與晶圓廠合作驗證，導致研發(fā)效率低下。例如，華中科技大學團隊開發(fā)的EUV光刻膠因無法接入ASML原型機測試，性能參數(shù)難以對標國際。
山西正性光刻膠供應商技術突破加速國產(chǎn)替代，國產(chǎn)化布局贏得市場。
研發(fā)投入
擁有自己實驗室和研發(fā)團隊，研發(fā)費用占比超15%，聚焦EUV光刻膠前驅(qū)體、低缺陷納米壓印膠等前沿領域，與中山大學、華南理工大學建立產(chǎn)學研合作。
專項布局：累計申請光刻膠相關的項目30余項，涵蓋樹脂合成、配方優(yōu)化、涂布工藝等細致環(huán)節(jié)。
生產(chǎn)體系
全自動化產(chǎn)線：采用德國曼茨（Manz）涂布設備、日本島津（Shimadzu）檢測儀器，年產(chǎn)能超500噸（光刻膠），支持小批量定制（小訂單100g）和大規(guī)模量產(chǎn)。
潔凈環(huán)境：生產(chǎn)車間達萬級潔凈標準（ISO 8級），避免顆粒污染，確保光刻膠缺陷密度<5個/cm。
應用場景
半導體集成電路（IC）制造：
邏輯芯片（CPU/GPU）：在28nm以下制程中，正性DUV/EUV膠用于晶體管、互連布線的精細圖案化（如10nm節(jié)點線寬只有100nm）。
存儲芯片（DRAM/NAND）：3D堆疊結構中，正性膠用于層間接觸孔（Contact）和柵極（Gate）的高深寬比圖形（深寬比＞10:1）。
平板顯示（LCD/OLED）：
彩色濾光片（CF）：制作黑矩陣（BM）和彩色層（R/G/B），要求高透光率和邊緣銳利度（線寬5-10μm）。
OLED電極：在柔性基板上形成微米級透明電極，需低應力膠膜防止基板彎曲變形。
印刷電路板（PCB）：
高密度互連（HDI）：用于細線路（線寬/線距≤50μm），如智能手機主板，相比負性膠，正性膠可實現(xiàn)更精細的線路邊緣。
微納加工與科研：
MEMS傳感器：制作微米級懸臂梁、齒輪等結構，需耐干法蝕刻的正性膠（如含硅樹脂膠）。
納米光刻：電子束光刻膠（正性為主）用于研發(fā)級納米圖案（分辨率＜10nm）。
松山湖光刻膠廠家吉田，2000 萬級產(chǎn)能，48小時極速交付!
關鍵工藝流程
涂布與前烘：
旋涂或噴涂負性膠，厚度可達1-100μm（遠厚于正性膠），前烘溫度60-90℃，去除溶劑并增強附著力。
曝光：
光源以**汞燈G線（436nm）**為主，適用于≥1μm線寬，曝光能量較高（約200-500mJ/cm），需注意掩膜版與膠膜的貼合精度。
顯影：
使用有機溶劑顯影液（如二甲苯、醋酸丁酯），未曝光的未交聯(lián)膠膜溶解，曝光的交聯(lián)膠膜保留。
后處理：
后烘（Post-Bake）：加熱（100-150℃）進一步固化交聯(lián)結構，提升耐干法蝕刻或濕法腐蝕的能力。
負性光刻膠生產(chǎn)廠家。廣州激光光刻膠國產(chǎn)廠商
正性光刻膠生產(chǎn)原料�；葜葸M口光刻膠工廠
上游原材料：
樹脂：彤程新材、鼎龍股份實現(xiàn)KrF/ArF光刻膠樹脂自主合成，金屬雜質(zhì)含量<5ppb（國際標準<10ppb）。
光引發(fā)劑：久日新材攻克EUV光刻膠原料光致產(chǎn)酸劑，累計形成噸級訂單；威邁芯材合肥基地建成100噸/年ArF/KrF光刻膠主材料產(chǎn)線。
溶劑：怡達股份電子級PM溶劑全球市占率超40%，與南大光電合作開發(fā)配套溶劑，技術指標達SEMI G5標準。
設備與驗證：
上海新陽與上海微電子聯(lián)合開發(fā)光刻機適配參數(shù)，驗證周期較國際廠商縮短6個月；徐州博康實現(xiàn)“單體-樹脂-成品膠”全鏈條國產(chǎn)化，適配ASML Twinscan NXT系列光刻機。
國內(nèi)企業(yè)通過18-24個月的晶圓廠驗證周期（如中芯國際、長江存儲），一旦導入不易被替代。
惠州進口光刻膠工廠
