常州厚膜光刻膠生產(chǎn)廠家 吉田半導(dǎo)體供應(yīng)

發(fā)貨地點(diǎn):廣東省東莞市

發(fā)布時(shí)間:2025-05-23

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詳細(xì)信息

吉田半導(dǎo)體的光刻膠產(chǎn)品覆蓋芯片制造、顯示面板、PCB 及微納加工等領(lǐng)域,通過差異化技術(shù)(如納米壓印、厚膜工藝)和環(huán)保特性(水性配方),滿足從傳統(tǒng)電子到新興領(lǐng)域(如第三代半導(dǎo)體、Mini LED)的多樣化需求。其產(chǎn)品不僅支持高精度、高可靠性的制造工藝,還通過材料創(chuàng)新推動(dòng)行業(yè)向綠色化、低成本化方向發(fā)展。吉田半導(dǎo)體光刻膠的優(yōu)勢(shì)在于技術(shù)全面性、環(huán)保創(chuàng)新、質(zhì)量穩(wěn)定性及本土化服務(wù),尤其在納米壓印、厚膜工藝及水性膠領(lǐng)域形成差異化競(jìng)爭(zhēng)力。

納米壓印光刻膠哪家強(qiáng)?吉田半導(dǎo)體附著力提升 30%!常州厚膜光刻膠生產(chǎn)廠家

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吉田半導(dǎo)體 YK-300 正性光刻膠:半導(dǎo)體芯片制造的材料

YK-300 正性光刻膠以高分辨率與耐蝕刻性,成為 45nm 及以上制程的理想選擇。
YK-300 正性光刻膠分辨率達(dá) 0.35μm,線寬粗糙度(LWR)≤3nm,適用于半導(dǎo)體芯片前道工藝。其耐溶劑性與絕緣阻抗性能突出,在顯影與蝕刻過程中保持圖形穩(wěn)定性。產(chǎn)品已通過中芯國(guó)際量產(chǎn)驗(yàn)證,良率達(dá) 98% 以上,生產(chǎn)過程執(zhí)行 ISO9001 標(biāo)準(zhǔn),幫助客戶降低封裝成本 20% 以上。支持小批量試產(chǎn)與定制化需求,為國(guó)產(chǎn)芯片制造提供穩(wěn)定材料支撐。
煙臺(tái)負(fù)性光刻膠價(jià)格正性光刻膠生產(chǎn)原料。

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LCD顯示

彩色濾光片(CF):

黑色矩陣(BM)光刻膠:隔離像素,線寬精度±2μm,透光率<0.1%。

RGB色阻光刻膠:形成紅/綠/藍(lán)像素,需高色純度(NTSC≥95%)和耐光性。

陣列基板(Array):

柵極絕緣層光刻膠:用于TFT-LCD的柵極圖案化,分辨率≤3μm。

 OLED顯示(柔性/剛性)

像素定義層(PDL)光刻膠:在基板上形成有機(jī)發(fā)光材料的 confinement 結(jié)構(gòu),線寬精度±1μm,需耐溶劑侵蝕(適應(yīng)蒸鍍工藝)。

觸控電極(如ITO/PET):通過光刻膠圖形化實(shí)現(xiàn)透明導(dǎo)電線路,線寬≤5μm。

 Mini/Micro LED

巨量轉(zhuǎn)移前的芯片制備:使用高分辨率光刻膠(分辨率≤5μm)定義微米級(jí)LED陣列,良率要求>99.99%。

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司以光刻膠為中心,逐步拓展至半導(dǎo)體全材料領(lǐng)域,形成了 “技術(shù)驅(qū)動(dòng)、全產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋” 的發(fā)展格局。公司產(chǎn)品不僅包括芯片與 LCD 光刻膠,還延伸至錫膏、焊片、靶材等配套材料,為客戶提供一站式采購(gòu)服務(wù)。

市場(chǎng)與榮譽(yù):
  • 產(chǎn)品遠(yuǎn)銷全球 50 多個(gè)地區(qū),客戶包括電子制造服務(wù)商(EMS)及半導(dǎo)體廠商。
  • 獲評(píng) “廣東省專精特新企業(yè)”“廣東省創(chuàng)新型中小企業(yè)”,并通過技術(shù)企業(yè)認(rèn)證。
  • 生產(chǎn)基地配備自動(dòng)化設(shè)備,年產(chǎn)能超千噸,滿足大規(guī)模訂單需求。
未來展望:
公司計(jì)劃進(jìn)一步擴(kuò)大研發(fā)中心規(guī)模,聚焦第三代半導(dǎo)體材料研發(fā),如 GaN、SiC 相關(guān)光刻膠技術(shù)。同時(shí),深化全球化布局,在東南亞、歐洲等地設(shè)立分支機(jī)構(gòu),強(qiáng)化本地化服務(wù)能力。
廣東光刻膠廠家哪家好?

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 晶圓制造(前道工藝)

功能:在硅片表面形成高精度電路圖形,是光刻工藝的主要材料。

細(xì)分場(chǎng)景:

邏輯/存儲(chǔ)芯片:用于28nm及以上成熟制程的KrF光刻膠(分辨率0.25-1μm)、14nm以下先進(jìn)制程的ArF浸沒式光刻膠(分辨率≤45nm),以及極紫外(EUV)光刻膠(目標(biāo)7nm以下,研發(fā)中)。

功率半導(dǎo)體(如IGBT):使用厚膜光刻膠(膜厚5-50μm),滿足深溝槽刻蝕需求。

MEMS傳感器:通過高深寬比光刻膠(如SU-8)實(shí)現(xiàn)微米級(jí)結(jié)構(gòu)(如加速度計(jì)、陀螺儀的懸臂梁)。

 芯片封裝(后道工藝)

先進(jìn)封裝技術(shù):

Flip Chip(倒裝芯片):用光刻膠形成凸點(diǎn)(Bump)下的 Redistribution Layer(RDL),線寬精度要求≤10μm。

2.5D/3D封裝:在硅通孔(TSV)工藝中,光刻膠用于定義通孔開口(直徑5-50μm)。

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關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域

半導(dǎo)體制造:

在晶圓表面涂覆光刻膠,通過掩膜曝光、顯影,刻蝕出晶體管、電路等納米級(jí)結(jié)構(gòu)(如EUV光刻膠用于7nm以下制程)。

 印刷電路板(PCB):

保護(hù)電路圖形或作為蝕刻抗蝕層,制作線路和焊盤。

 顯示面板(LCD/OLED):

用于制備彩色濾光片、電極圖案等。

 微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS):

加工微結(jié)構(gòu)(如傳感器、執(zhí)行器)。

工作原理(以正性膠為例)

1. 涂膠:在基材(如硅片)表面均勻旋涂光刻膠,烘干形成薄膜。

2. 曝光:通過掩膜版,用特定波長(zhǎng)光線照射,曝光區(qū)域的光敏劑分解,使樹脂變得易溶于顯影液。

3. 顯影:用顯影液溶解曝光區(qū)域,留下未曝光的光刻膠圖案,作為后續(xù)刻蝕或離子注入的掩蔽層。

4. 后續(xù)工藝:刻蝕基材(保留未被光刻膠保護(hù)的區(qū)域),或去除光刻膠(剝離工藝)。
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