光刻膠的主要應(yīng)用領(lǐng)域
光刻膠是微電子制造的主要材料,廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
半導(dǎo)體制造
功能:在晶圓表面形成微細(xì)電路圖案,作為蝕刻或離子注入的掩膜。
分類:
正性光刻膠:曝光區(qū)域溶解于顯影液,形成與掩膜版一致的圖案(主流,分辨率高)。
負(fù)性光刻膠:未曝光區(qū)域溶解,形成反向圖案(用于早期工藝,耐蝕刻性強(qiáng))。
技術(shù)演進(jìn):隨制程精度提升,需匹配不同曝光波長(紫外UV、深紫外DUV、極紫外EUV),例如EUV光刻膠用于7nm以下制程。
平板顯示(LCD/OLED)
彩色濾光片(CF):在玻璃基板上制作紅/綠/藍(lán)像素單元,光刻膠用于圖案化黑矩陣(BM)、彩色層(R/G/B)和保護(hù)層。
電極圖案:制作TFT-LCD的電極線路或OLED的陰極/陽極,需高透光率和精細(xì)邊緣控制。
印刷電路板(PCB)
線路蝕刻:在覆銅板上涂膠,曝光顯影后保留線路區(qū)域,蝕刻去除未保護(hù)的銅箔,形成導(dǎo)電線路。
阻焊與字符層:阻焊膠覆蓋非線路區(qū)域,防止短路;字符膠用于印刷電路板標(biāo)識。
LED與功率器件
芯片制造:在藍(lán)寶石/硅基板上制作電極和量子阱結(jié)構(gòu),需耐高功率環(huán)境的耐高溫光刻膠。
Micro-LED:微米級芯片轉(zhuǎn)移和陣列化,依賴超高分辨率光刻膠(分辨率≤5μm)。
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在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司憑借 23 年技術(shù)沉淀,已成為國內(nèi)光刻膠行業(yè)的企業(yè)。公司產(chǎn)品線覆蓋正性、負(fù)性、厚膜、納米壓印等多類型光刻膠,廣泛應(yīng)用于芯片制造、LCD 顯示、PCB 電路板等領(lǐng)域。
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技術(shù):自主研發(fā)的光刻膠產(chǎn)品具備高分辨率(如 JT-3001 厚板光刻膠)、高感光度(如 JT-1000 負(fù)性光刻膠)及抗深蝕刻性能,部分指標(biāo)達(dá)到水平。
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嚴(yán)苛品控:生產(chǎn)過程嚴(yán)格遵循 ISO9001 體系,材料進(jìn)口率 100%,并通過 8S 現(xiàn)場管理確保制程穩(wěn)定性。
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定制化服務(wù):支持客戶需求定制,例如為特殊工藝開發(fā)光刻膠,滿足多樣化場景需求。
公司位于松山湖開發(fā)區(qū),依托產(chǎn)業(yè)園區(qū)資源,持續(xù)加大研發(fā),與科研機(jī)構(gòu)合作推動技術(shù)升級。目前,吉田半導(dǎo)體已服務(wù)全球數(shù)千家客戶,以 “匠心品質(zhì)、售后無憂” 的理念贏得市場口碑。
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產(chǎn)品特點(diǎn):耐溶劑型優(yōu)良,抗潮耐水性好,耐印率高;固含量高,流平性好,涂布性能優(yōu)良;經(jīng)特殊乳化聚合技術(shù)處理,網(wǎng)版平滑、無白點(diǎn)、無沙眼、亮度高;剝膜性好,網(wǎng)版可再生使用;解像性、高架橋性好,易做精細(xì)網(wǎng)點(diǎn)和線條;感光度高,曝光時(shí)間短,曝光寬容度大,節(jié)省網(wǎng)版作業(yè)時(shí)間,提高工作效率 。
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應(yīng)用范圍:適用于塑料、皮革、標(biāo)牌、印刷電路板(PCB)、廣告宣傳、玻璃、陶瓷、紡織品等產(chǎn)品的印刷。例如在塑料表面形成牢固圖案,滿足皮革制品精細(xì)印刷需求,制作各類標(biāo)牌保證圖案清晰,用于 PCB 制造滿足高精度要求等。
納米制造與表面工程
納米結(jié)構(gòu)模板:作為納米壓印光刻(NIL)的母版制備材料,通過電子束光刻膠寫出高精度納米圖案(如50nm以下的柱陣列、孔陣列),用于批量復(fù)制微流控芯片或柔性顯示基板。
表面功能化:在基底表面構(gòu)建納米級粗糙度(如仿生荷葉超疏水表面)或化學(xué)圖案(引導(dǎo)細(xì)胞定向生長的納米溝槽),用于生物醫(yī)學(xué)或能源材料(如電池電極的納米陣列結(jié)構(gòu))。
量子技術(shù)與精密測量
超導(dǎo)量子比特:在鈮酸鋰或硅基底上,通過光刻膠定義納米級約瑟夫森結(jié)陣列,構(gòu)建量子電路。
納米傳感器:制備納米級懸臂梁(表面鍍光刻膠圖案化的金屬電極),用于探測單個(gè)分子的質(zhì)量或電荷變化(分辨率達(dá)亞納米級)。
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差異化競爭策略
在高級市場(如ArF浸沒式光刻膠),吉田半導(dǎo)體采取跟隨式創(chuàng)新,通過優(yōu)化現(xiàn)有配方(如提高酸擴(kuò)散抑制效率)逐步縮小與國際巨頭的差距;在中低端市場(如PCB光刻膠),則憑借性價(jià)比優(yōu)勢(價(jià)格較進(jìn)口產(chǎn)品低20%-30%)快速搶占份額,2023年P(guān)CB光刻膠市占率突破10%。
前沿技術(shù)儲備
公司設(shè)立納米材料研發(fā)中心,重點(diǎn)攻關(guān)分子玻璃光刻膠和金屬有機(jī)框架(MOF)光刻膠,目標(biāo)在5年內(nèi)實(shí)現(xiàn)EUV光刻膠的實(shí)驗(yàn)室級突破。此外,其納米壓印光刻膠已應(yīng)用于3D NAND存儲芯片的孔陣列加工,分辨率達(dá)10nm,為國產(chǎn)存儲廠商提供了替代方案。
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吉田半導(dǎo)體助力區(qū)域經(jīng)濟(jì)發(fā)展,推動產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新。遼寧LCD光刻膠多少錢
以 15% 年研發(fā)投入為驅(qū)動,吉田半導(dǎo)體加速 EUV 光刻膠與木基材料研發(fā),搶占行業(yè)制高點(diǎn)。布局下一代光刻技術(shù)。
面對極紫外光刻技術(shù)挑戰(zhàn),吉田半導(dǎo)體與中科院合作開發(fā)化學(xué)放大型 EUV 光刻膠,在感光效率(<10mJ/cm)和耐蝕性(>80%)指標(biāo)上取得階段性進(jìn)展。同時(shí),公司前瞻性布局木基光刻膠研發(fā),對標(biāo)日本王子控股技術(shù),探索生物基材料在半導(dǎo)體封裝中的應(yīng)用。這些技術(shù)儲備為 7nm 及以下制程提供支撐,助力中國在下一代光刻技術(shù)中占據(jù)重要地位。遼寧LCD光刻膠多少錢