光刻膠（Photoresist）是一種對光敏感的高分子材料，主要用于光刻工藝中，通過光化學反應實現圖案的轉移，是半導體、集成電路（IC）、印刷電路板（PCB）、液晶顯示（LCD）等制造領域的材料之一。
光刻膠特性與組成
光敏性：在特定波長（如紫外光、極紫外光EUV等）照射下，會發(fā)生化學結構變化（如交聯(lián)或分解），從而改變在顯影液中的溶解性。
主要成分：
樹脂（成膜劑）：形成基礎膜層，決定光刻膠的機械和化學性能。
光敏劑：吸收光能并引發(fā)化學反應（如光分解、光交聯(lián)）。
溶劑：調節(jié)粘度，便于涂覆成膜。
添加劑：改善性能（如感光度、分辨率、對比度等）。
吉田質量管控與認證壁壘。天津紫外光刻膠工廠
吉田半導體的自研產品已深度融入國內半導體產業(yè)鏈：
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芯片制造：YK-300 光刻膠服務中芯國際、長江存儲，支持國產 14nm 芯片量產。
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顯示面板：YK-200 LCD 光刻膠市占率達 15%，成為京東方、華星光電戰(zhàn)略合作伙伴。
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新能源領域：無鹵無鉛焊片通過 UL 認證，批量應用于寧德時代儲能系統(tǒng)，年供貨量超 500 噸。
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研發(fā)投入：年研發(fā)費用占比超 15%，承擔國家 02 專項課題，獲 “國家技術發(fā)明二等獎”。
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產能規(guī)模：光刻膠年產能 5000 噸，納米壓印光刻膠占全球市場份額 15%。
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質量體系：通過 ISO9001、IATF 16949 等認證，生產過程執(zhí)行 8S 管理，批次穩(wěn)定性達 99.5%。
吉田半導體將繼續(xù)聚焦光刻膠研發(fā)，加速 EUV 光刻膠與木基材料技術突破，目標在 2027 年前實現 7nm 制程材料量產。同時，深化國產供應鏈協(xié)同，構建 “材料 - 設備 - 工藝” 一體化生態(tài)圈，為中國半導體產業(yè)自主化貢獻 “吉田力量”。
從突破國際壟斷到行業(yè)標準，吉田半導體以自研自產為引擎，走出了一條中國半導體材料企業(yè)的崛起之路。未來，公司將以更具競爭力的產品與技術，助力中國半導體產業(yè)邁向更高臺階。
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技術優(yōu)勢：23年研發(fā)沉淀與細分領域突破
全流程自主化能力
吉田在光刻膠研發(fā)中實現了從樹脂合成、光引發(fā)劑制備到配方優(yōu)化的全流程自主化。例如，其納米壓印光刻膠通過自主開發(fā)的樹脂體系，實現了3μm的分辨率，適用于MEMS傳感器、光學器件等領域。
技術壁壘：公司擁有23年光刻膠研發(fā)經驗，掌握光刻膠主要原材料（如樹脂、光酸）的合成技術，部分原材料純度達PPT級。
細分領域技術先進
納米壓印光刻膠：在納米級圖案化領域（如量子點顯示、生物芯片）實現技術突破，分辨率達3μm，填補國內空缺。
LCD光刻膠：針對顯示面板行業(yè)需求，開發(fā)出高感光度、高對比度的光刻膠，適配AMOLED、Micro LED等新型顯示技術。
研發(fā)投入與合作
公司2018年獲高新技術性企業(yè)認證，與新材料領域同伴們合作開發(fā)半導體光刻膠，計劃2025年啟動半導體用KrF光刻膠研發(fā)。
感光機制
重氮型（雙液型）：需混合光敏劑（如二疊氮二苯乙烯二磺酸鈉），曝光后通過交聯(lián)反應固化，適用于精細圖案（如PCB電路線寬≤0.15mm）。
SBQ型（單液型）：預混光敏劑，無需調配，感光度高（曝光時間縮短30%），適合快速制版（如服裝印花）。
環(huán)保型：采用無鉻配方（如CN10243143A），通過多元固化體系（熱固化+光固化）實現12-15mJ/cm快速曝光，分辨率達2μm，符合歐盟REACH標準。
功能細分
耐溶劑型：如日本村上AD20，耐酒精、甲苯等溶劑，適用于電子油墨印刷。
耐水型：如瑞士科特1711，抗水性強，適合紡織品水性漿料。
厚版型：如德國Kppen厚版膠，單次涂布可達50μm，用于立體印刷。
典型應用場景：
PCB制造：使用360目尼龍網+重氮感光膠，配合LED曝光（405nm波長），實現0.15mm線寬，耐酸性蝕刻液。
紡織印花：圓網制版采用9806A型感光膠，涂布厚度20μm，耐堿性染料色漿，耐印率超10萬次。
包裝印刷：柔版制版選用杜邦賽麗® Lightning LFH版材，UV-LED曝光+無溶劑工藝，碳排放降低40%。
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全品類覆蓋與定制化能力
吉田半導體的光刻膠產品覆蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠等全品類，適用于半導體、顯示面板、MEMS等多個領域。例如，其LCD正性光刻膠YK-200和水油光刻膠JT-2001可滿足0.45μm及以上線寬需求，支持客戶定制化工藝參數，尤其在柔性顯示（OLED）和Mini/Micro LED等新興領域表現突出。
技術亮點：通過自主研發(fā)的樹脂配方和光敏劑體系，實現了高分辨率（120nm）和高抗蝕性的平衡，部分指標（如線寬粗糙度LWR<3nm）接近國際主流產品水平。
國產化材料與工藝適配
公司采用進口原材料+本地化生產模式，關鍵樹脂單體、光敏劑等主要成分通過德國默克、日本信越等供應商采購，同時建立了超純提純工藝（雜質含量<1ppm），確保產品穩(wěn)定性。此外，其光刻膠與國內主流光刻機（如上海微電子SSA800）、勻膠顯影機（如盛美上海）的兼容性已通過驗證，縮短客戶工藝調試周期。
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定義與特性
正性光刻膠是一種在曝光后，曝光區(qū)域會溶解于顯影液的光敏材料，形成與掩膜版（Mask）圖案一致的圖形。與負性光刻膠（未曝光區(qū)域溶解）相比，其優(yōu)勢是分辨率高、圖案邊緣清晰，是半導體制造（尤其是制程）的主流選擇。
化學組成與工作原理
主要成分
樹脂（成膜劑）：
傳統(tǒng)正性膠：采用**酚醛樹脂（Novolak）與重氮萘醌（DNQ，光敏劑）**的復合體系（PAC體系），占比約80%-90%。
化學增幅型（用于DUV/EUV）：含環(huán)化烯烴樹脂或含氟聚合物，搭配光酸發(fā)生器（PAG），通過酸催化反應提高感光度和分辨率。
溶劑：溶解樹脂和感光劑，常用丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA）或乳酸乙酯。
添加劑：表面活性劑（改善涂布均勻性）、穩(wěn)定劑（防止暗反應）、堿溶解度調節(jié)劑等。
工作原理
曝光前：光敏劑（如DNQ）與樹脂結合，形成不溶于堿性顯影液的復合物。
曝光時：
傳統(tǒng)PAC體系：DNQ在紫外光（G線436nm、I線365nm）照射下發(fā)生光分解，生成羧酸，使曝光區(qū)域樹脂在堿性顯影液中溶解性增強。
化學增幅型：PAG在DUV/EUV光下產生活性酸，催化樹脂發(fā)生脫保護反應，大幅提高顯影速率（靈敏度提升10倍以上）。
顯影后：曝光區(qū)域溶解去除，未曝光區(qū)域保留，形成正性圖案。
天津紫外光刻膠工廠
