從ITO靶材制備方法來看，制備方法多樣，冷等靜壓優(yōu)勢(shì)突出。ITO靶材的制備方法主要有4種，分別為熱壓法、熱等靜壓法、常溫?zé)�結(jié)法、冷等靜壓法。冷等靜壓法制備ITO靶材優(yōu)點(diǎn)：1）冷等靜壓法壓力較大，工件受力相對(duì)更加均勻，尤其適用于壓制大尺寸粉末制品，符合ITO靶材大尺寸的發(fā)展趨勢(shì)；2）產(chǎn)品的密度相對(duì)更高，更加地均勻；3）壓粉不需要添加任何潤(rùn)滑劑；4）生產(chǎn)成本低，適合大規(guī)模生產(chǎn)。從冷等靜壓法主要制備流程看：1）制備粉末，選取氧化銦與二氧化錫（純度99.99%）進(jìn)行乳化砂磨。其中加入2%一4%的聚乙烯醇（PVA）和30%的純水進(jìn)行砂磨。然后進(jìn)行噴霧干燥，甘肅氧化物陶瓷靶材一般多少錢，調(diào)節(jié)噴霧干燥塔參數(shù)，甘肅氧化物陶瓷靶材一般多少錢，噴霧制備不同松裝密度的ITO粉末。再將ITO粉末進(jìn)行篩網(wǎng)篩分，獲得合格的ITO粉末；2）制備素胚，甘肅氧化物陶瓷靶材一般多少錢，將ITO粉末裝入橡膠模具中振實(shí)，密封投料口，進(jìn)行冷等靜壓，得到靶材素坯；3）結(jié)燒，將素坯放置于常壓燒結(jié)爐中，保溫溫度為1450一1600℃，采用多個(gè)階段保溫?zé)�結(jié)，燒結(jié)過程中通入氧氣。通常靶材變黑引起中毒的因素靶材中毒主要受反應(yīng)氣體和濺射氣體比例的影響。甘肅氧化物陶瓷靶材一般多少錢

光伏領(lǐng)域?qū)Π胁牡氖褂弥饕�是薄膜電池和HJT光伏電池。以HJT電池片為例，在HJT電池片結(jié)構(gòu)中具有TCO薄膜層，該薄膜承擔(dān)著透光以及導(dǎo)電的重要作用。應(yīng)用PVD技術(shù)，使離子和靶材表面的原子離開靶材，在基底上形成透明導(dǎo)電薄膜。以鈣鈦礦電池結(jié)構(gòu)為例，鈣鈦礦電池是由多層薄膜以及玻璃等構(gòu)成。例如ITO薄膜就需要光伏靶材進(jìn)行制備。薄膜較為常用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶、AZO靶（氧化鋁鋅）等，ITO靶材是當(dāng)前太陽能電池主要的濺射靶材。薄膜電池中透明導(dǎo)電膜至關(guān)重要，承擔(dān)著透光和導(dǎo)電的雙重作用。從ITO靶材的優(yōu)勢(shì)來看，氧化銦錫（ITO）是N型半導(dǎo)體材料，具有高導(dǎo)電率、高可見光透過率、較強(qiáng)的機(jī)械硬度和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)。因此，在光伏領(lǐng)域中，ITO靶材為原材料所制成的ITO薄膜具有較好的光學(xué)特性和電學(xué)特性。河北濺射陶瓷靶材價(jià)格咨詢HJT電池靶材有望快速實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代國(guó)產(chǎn)靶材廠商有望在HJT電池時(shí)代實(shí)現(xiàn)靶材上的彎道超車。

氧化鋅(ZnO)屬于第三代半導(dǎo)體材料,室溫下禁帶寬度約為3.37eV，其激子束縛能高達(dá)60mev，比室溫?zé)犭x化能(26mev)大得多。第三代半導(dǎo)體材料是指寬禁帶半導(dǎo)體材料，它們的發(fā)光波長(zhǎng)短(近紫外)，具有耐高溫、抗輻照、制備方法多、毒性小等特點(diǎn)。自1997 年發(fā)現(xiàn)ZnO薄膜的室溫紫外光*以來，ZnO薄膜的制備技術(shù)及其光電特性成為人們研究的熱點(diǎn)。ZnO薄膜可以在低于500C的溫度下生長(zhǎng),比ZnSe和GaN的生長(zhǎng)溫度低得多。ZnO作為一種新型的光電材料在光波導(dǎo)、半導(dǎo)體紫外激光器、發(fā)光器件，透明電極等方面應(yīng)用大面積。Zno 也是一種十分有用的壓電薄膜材料，高質(zhì)量的單晶或c軸擇優(yōu)取向的多晶ZnO薄膜具有良好的壓電性質(zhì)，能夠用來制備高頻纖維聲光器件及聲光調(diào)制器等壓電轉(zhuǎn)換器，在光電通信領(lǐng)域得到大面積的應(yīng)用。

從整體上看，ITO在光電綜合性能上高于AZO靶材，但AZO靶材的優(yōu)勢(shì)或?qū)�為靶材帶來降本空間。在相關(guān)實(shí)驗(yàn)中利用AZO靶材和ITO靶材制備了3組實(shí)驗(yàn)薄膜（共6份樣品）。實(shí)驗(yàn)中主要從光學(xué)性能和電學(xué)性能上對(duì)AZO薄膜和ITO薄膜進(jìn)行了對(duì)比。在特定情況下AZO靶材與ITO靶材電學(xué)性能差距縮小。根據(jù)比較終實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)來看，AZO薄膜和ITO薄膜的方塊電阻以及電阻率隨著薄膜的厚度增加而降低，并且隨著薄膜厚度的增加，AZO薄膜與ITO薄膜方塊電阻以及電阻率之間的差距逐步縮小。當(dāng)AZO薄膜厚度為640nm時(shí)，方塊電阻以及電阻率為32Ωsq-1和20.48*10-4Ωcm。AZO薄膜光學(xué)性能優(yōu)于ITO薄膜。ITO薄膜的光學(xué)性能隨著厚度的增加明顯變差，但是對(duì)于AZO薄膜，透射率并沒有隨著厚度的增加而明顯下降，在厚度為395nm時(shí)，高透射率光譜范圍比較寬，可見光區(qū)平均透射率比較高，光學(xué)總體性能比較好，可充當(dāng)透射率要求在85%以上的寬光譜透明導(dǎo)電薄膜的光學(xué)器件ITO靶材被廣泛應(yīng)用于各大行業(yè)之中，其主要應(yīng)用分為：顯示行業(yè)、薄膜太陽能電池、功能性玻璃，等三大領(lǐng)域。

研究直流磁控反應(yīng)濺射ITO膜過程中ITO靶材的毒化現(xiàn)象,用XRD、EPMA、LECO測(cè)氧儀等手段對(duì)毒化發(fā)生的機(jī)理進(jìn)行分析,并對(duì)若干誘導(dǎo)因素進(jìn)行討論,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解為In2O造成的,靶材性能及濺射工藝缺陷都可能誘導(dǎo)毒化發(fā)生.ITO薄膜作為一種重要的透明導(dǎo)電氧化物半導(dǎo)體材料，因具有良好的導(dǎo)電性能及光透射率廣泛應(yīng)用于液晶顯示、太陽能電池、靜電屏蔽、電致發(fā)光等技術(shù)中，用氧化銦+氧化錫燒結(jié)體作為靶材，直流磁控反應(yīng)濺射法制備ITO薄膜與用銦錫合金靶相比，具有沉積速度快，膜質(zhì)優(yōu)良，工藝易控等優(yōu)點(diǎn)成為目前的主流?但是，此法成膜過程中會(huì)經(jīng)常發(fā)生ITO靶材表面黑色化，生成黑色不規(guī)則球狀節(jié)瘤，本文稱此現(xiàn)象為靶材毒化，毒化使濺射速率下降，膜質(zhì)劣化，迫使停機(jī)清理靶材表面后才能繼續(xù)正常濺射，嚴(yán)重影響了鍍膜效率。

在反應(yīng)濺射過程中，靶材表面的濺射通道區(qū)域被反應(yīng)產(chǎn)物覆蓋或反應(yīng)產(chǎn)物被剝離，金屬表面重新暴露。云南ITO陶瓷靶材

鋁靶、銅靶用于導(dǎo)電層薄膜，鉬靶、鉻靶用于阻擋層薄膜，ITO靶、AZO靶用于透明導(dǎo)電層薄膜。甘肅氧化物陶瓷靶材一般多少錢

鍍膜的主要工藝有PVD和化學(xué)氣相沉積（CVD）。（1）PVD技術(shù)是目前主流鍍膜方法，其中的濺射工藝在半導(dǎo)體、顯示面板應(yīng)用廣。PVD技術(shù)分為真空蒸鍍法、濺鍍法和離子鍍法。三種方法各有優(yōu)劣勢(shì)：真空蒸鍍法對(duì)于基板材質(zhì)沒有限制；濺鍍法薄膜的性質(zhì)、均勻度都比蒸鍍薄膜好；離子鍍法的繞鍍能力強(qiáng)，清洗過程簡(jiǎn)化，但在高功率下影響鍍膜質(zhì)量。不同方法的選擇主要取決于產(chǎn)品用途與應(yīng)用場(chǎng)景。（2）CVD技術(shù)主要通過化學(xué)反應(yīng)生成薄膜。在高溫下把含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)引入反應(yīng)室，在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜。甘肅氧化物陶瓷靶材一般多少錢

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