陶瓷靶材陶瓷靶材按化學(xué)組成,可分為氧化物陶瓷靶材、硅化物陶瓷靶材、氮化物陶瓷靶材、氟化物陶瓷靶材和硫化物陶瓷靶材等.陶瓷靶材是比較脆的靶材,通常陶瓷靶材都會(huì)綁定背板一起使用,背板除了在濺射過(guò)程中可支撐陶瓷靶材,還可以在濺射過(guò)程中起到熱傳遞的作用.陶瓷靶材的種類很多,應(yīng)用范圍廣,主要用于微電子領(lǐng)域,顯示器用,存儲(chǔ)等領(lǐng)域.陶瓷靶材作為非金屬薄膜產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)材料,已得到空前的發(fā)展.陶瓷靶材的制備工藝難點(diǎn)主要有:超大尺寸陶瓷靶材制備技術(shù)、如何抑制濺射過(guò)程中微粒的產(chǎn)生、如何保證陶瓷靶材的相結(jié)構(gòu)及組織均勻性、盡量提高陶瓷靶材的致密度及減少含氣量等.陶瓷靶材的特性要求:（1）純度:陶瓷靶材的純度對(duì)濺射薄膜的性能影響很大,純度越高,濺射薄膜的均勻性和批量產(chǎn)品的質(zhì)量的一致性越好.隨著微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,對(duì)成膜面積的薄膜均勻性要求十分嚴(yán)格,其純度必須大于4N.平面顯示用的ITO靶材In2O3和Sn2O3的純度都大于4N.(2)密度:為了減少陶瓷靶材的氣孔,提高薄膜性能,要求濺射陶瓷靶材具有高密度.靶材越密實(shí),濺射顆粒的密度月底，重慶氧化物陶瓷靶材咨詢報(bào)價(jià)，重慶氧化物陶瓷靶材咨詢報(bào)價(jià),放電現(xiàn)場(chǎng)就越弱，重慶氧化物陶瓷靶材咨詢報(bào)價(jià),薄膜的性能也越好.(3)成分與結(jié)構(gòu)均勻性:為保證濺射薄膜均勻,在復(fù)雜的大面積鍍膜應(yīng)用中,必須做到靶材成分與結(jié)構(gòu)均勻性好.靶材安裝注意事項(xiàng)靶材安裝過(guò)程中非常重要的是一定要確保在靶材和濺射腔體冷卻壁之間建立很好的導(dǎo)熱連接。重慶氧化物陶瓷靶材咨詢報(bào)價(jià)

AZO透明導(dǎo)電薄膜具有高可見(jiàn)光透過(guò)率和低電阻率的特點(diǎn)，因此可以作為平面顯示器和太陽(yáng)能平面電極材料，也可用在節(jié)能方面，如建筑玻璃表面和汽車玻璃表面近年來(lái),隨著液晶顯示、觸控面板、有機(jī)發(fā)光顯示、太陽(yáng)能電池等的發(fā)展，使得透明導(dǎo)電薄膜成為關(guān)鍵性材料之一。目前，常用的錫摻雜氧化鋼(ITO)透明導(dǎo)電薄膜材料中的金屬銦屬于稀缺資源，開(kāi)發(fā)具有透光、導(dǎo)電特性的“非銦”材料已成為研究的熱點(diǎn)之一。由于氧化鋅基(ZnO)透明導(dǎo)電薄膜價(jià)格較為低廉，且不具毒性，在發(fā)展上具有相當(dāng)?shù)膬?yōu)異性。因此，對(duì)于氧化鋅薄膜材料及其制備技術(shù)的研發(fā)，引起了大家的重視。AZO薄膜是一種透明導(dǎo)電膜，具有與ITO薄膜相比擬的光學(xué)和電學(xué)特性，并具有制備工藝簡(jiǎn)單、價(jià)格低、*和穩(wěn)定性好等特點(diǎn)，被認(rèn)為是ITO薄膜的比較好替代材料。廣東鍍膜陶瓷靶材一般多少錢(qián)陶瓷靶材和金屬靶材各自優(yōu)缺點(diǎn)；

氧化鈮由于其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)而被廣地應(yīng)用于現(xiàn)代技術(shù)的許多領(lǐng)域。例如，利用其較強(qiáng)的紫外線吸收能力，可將其用作紫外敏感材料的保護(hù)膜；利用其薄膜折射率較高的特性，可與SiO2等配合可制備具有不同折射率的薄膜。由于這些明顯的優(yōu)點(diǎn)，氧化鈮靶材被廣地應(yīng)用于太陽(yáng)能電池、液晶顯示器、離子顯示器、收集觸屏、光學(xué)玻璃、氣體傳感器等眾多領(lǐng)域。隨著科技的不斷發(fā)展以及應(yīng)用領(lǐng)域的不斷延伸，氧化鈮靶材的需求量也不斷增大。目前，市場(chǎng)上使用的多的是氧化鈮平面靶材，大都采用真空熱壓法來(lái)制備。但是采用該方法，氧化鈮靶坯厚度較大，加工過(guò)程中需要通過(guò)機(jī)加工剖片工藝加工達(dá)到所需的厚度要求。

氧化鈮靶材根據(jù)其鍍膜工藝的不同分為平面靶材和旋轉(zhuǎn)靶材兩種,所需的氧化鈮純度均要求達(dá)到99.95%,但對(duì)氧化鈮的物理性能指標(biāo)要求不同。平面靶材的生產(chǎn)使用熱壓法,要求氧化鈮粉末粒度細(xì)且均勻,成形性能好;旋轉(zhuǎn)靶材采用熱噴涂法生產(chǎn),要求氧化鈮具有良好的流動(dòng)性及嚴(yán)格的粒度范圍。旋轉(zhuǎn)靶材是近些年新發(fā)展的一種靶材,與傳統(tǒng)的平面靶材相比,旋轉(zhuǎn)靶材相對(duì)于平面靶材具有很多的優(yōu)點(diǎn)： 1、利用率高（70％以上）,甚至可以達(dá)到90％; 2、濺射速度快,為平面靶的2-3倍; 3、有效地減少打弧和表面掉渣,工藝穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn),因此近年來(lái)逐步替代了平面靶材。 針對(duì)國(guó)內(nèi)尚未能生產(chǎn)靶材級(jí)高純氧化鈮的現(xiàn)狀,在現(xiàn)有氧化鈮濕法冶金生產(chǎn)工藝的基礎(chǔ)上,以高純鈮液為原料,通過(guò)噴霧干燥造粒的方法實(shí)現(xiàn)對(duì)氧化鈮產(chǎn)品粒度和粒形的控制,制取滿足氧化鈮靶材尤其是氧化鈮旋轉(zhuǎn)靶材生產(chǎn)要求的球形高純氧化鈮產(chǎn)品。產(chǎn)品純度為99.95%、粒形為球形、粒度大小范圍為50-150μm的高純氧化鈮產(chǎn)品。與國(guó)外同行生產(chǎn)廠家以高純氧化鈮產(chǎn)品為原料,需經(jīng)過(guò)球磨、制漿、造粒、焙燒的工藝流程相比,具有工藝流程簡(jiǎn)單,生產(chǎn)成本低,粒度可控,產(chǎn)品成品率高的特點(diǎn)。產(chǎn)品完全能夠滿足生產(chǎn)氧化鈮旋轉(zhuǎn)靶材的要求。在顯示面板和觸控屏兩個(gè)產(chǎn)品生產(chǎn)環(huán)節(jié)需要使用靶材，主要用于ITO玻璃及觸控屏電極，用量比較大的是ITO靶材。

靶材預(yù)濺射建議采用純氬氣進(jìn)行濺射，可以起到清潔靶材表面的作用。靶材進(jìn)行預(yù)濺射時(shí)建議慢慢加大濺射功率，陶瓷類靶材的功率加大速率建議為1.5W小時(shí)/平方厘米。金屬類靶材的預(yù)濺射速度可以比陶瓷靶材快，一個(gè)合理的功率加大速率為1.5W小時(shí)/平方厘米。在進(jìn)行預(yù)濺射的同時(shí)需要檢查靶材起弧狀況，預(yù)濺射時(shí)間一般為10分鐘左右。如沒(méi)有起弧現(xiàn)象，繼續(xù)提升濺射功率到設(shè)定功率。根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，一般應(yīng)確保冷卻水出水口的水溫應(yīng)低于35攝氏度，但非常重要的是確保冷卻水的循環(huán)系統(tǒng)能有效工作，通過(guò)冷卻水的快速循環(huán)帶走熱量，是確保能以較高功率連續(xù)濺射的一項(xiàng)重要保障。靶材相對(duì)密度對(duì)大面積鍍膜的影響靶材的相對(duì)密度是靶材的實(shí)際密度與理論密度之比。內(nèi)蒙古陶瓷靶材市場(chǎng)價(jià)

通常靶材變黑引起中毒的因素靶材中毒主要受反應(yīng)氣體和濺射氣體比例的影響。重慶氧化物陶瓷靶材咨詢報(bào)價(jià)

從ITO靶材的發(fā)展趨勢(shì)來(lái)看：1）大尺寸化，在需要大面積鍍膜時(shí)，通常將小尺寸靶材拼接焊接成大尺寸靶材，由于具有焊縫，靶材鍍膜質(zhì)量將降低；2）高密度化，在濺射過(guò)程中ITO靶材表面會(huì)出現(xiàn)結(jié)瘤現(xiàn)象，如果繼續(xù)濺射，所制備的薄膜光學(xué)性能以及電學(xué)性能將降低。高密度的靶材具有較好的熱傳導(dǎo)性以及較小的界面電阻，因此結(jié)瘤現(xiàn)象出現(xiàn)的概率較小，所制備的ITO薄膜的質(zhì)量較高，且生產(chǎn)效率、成本較低；3）提高靶材利用率，由于平面靶材在濺射過(guò)程中，中間部分難以被侵蝕，因此靶材利用效率相對(duì)較低。通過(guò)改變靶材形狀，可以提高靶材的利用效率，從而降低備ITO薄膜的成本。重慶氧化物陶瓷靶材咨詢報(bào)價(jià)

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